三星 Foundry 正致力于下一代环绕栅极晶体管 技术的研发，该技术将用于其 2nm 制程工艺，基于该技术的 2nm 半导体芯片计划于明年量产。

　　此外，三星将在 6 月 16 日至 20 日于美国夏威夷举行的 VLSI 研讨会上展示用于 2nm 芯片的第三代 GAA 技术论文，VLSI 研讨会与国际电子器件会议 和国际固态电路会议 并称为全球三大顶尖半导体技术研讨会。

　　据了解，GAA 是一种新型的晶体管设计，可改善电流流动并提高能效。三星 Foundry 在其第一代 3nm 制程工艺中首次引入了 GAA 技术。然而，除三星自家 Exynos 处理器之外，尚未有其他芯片厂商采用该技术，例如 AMD、苹果、联发科、英伟达和高通。预计三星 System LSI 部门将成为首家使用三星 Foundry 3nm 制程的厂商。

　　相比于采用 5nm 制程的芯片，第一代 3nm GAA 芯片的晶体管面积减少了 16%，性能提升了 23%，能效提高了 45%。第二代 3nm 制程预计将使晶体管面积减少 35%，性能提升 30%，能效提升 50%。用于 2nm 芯片的第三代 GAA 技术则有望实现晶体管面积减少 50% 和性能提升 50%。

　　三星的主要竞争对手台积电目前尚未在其先进制程工艺中采用 GAA 技术。三星计划在今年下半年量产采用第二代 3nm GAA 技术的芯片，预计英特尔和台积电将在其下一代 2nm 制程中采用 GAA 技术。